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HYG140ND10LS5C2
此器件为100V、15mΩ、PDFN8L(5×6)双基岛封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如开关电源，DC-DC 转换，电机控制，高频电路等应用领域。
特性
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
开关损耗低
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
开关电源，DC-DC 转换，电机控制，高频电路
此器件为100V、15mΩ、PDFN8L(5×6)双基岛封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如开关电源，DC-DC 转换，电机控制，高频电路等应用领域。
特性
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
开关损耗低
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
开关电源，DC-DC 转换，电机控制，高频电路
